规格书 |
FDS4435 |
文档 |
Multiple Devices 27/Feb/2012 |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 8.8A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 20 mOhm @ 8.8A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 24nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1604pF @ 15V |
功率 - 最大 | 1W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽度 ) |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
包装材料 | Tape & Reel (TR);;其他的名称; |
associated | IRF7416PBF. ICK SMD A 5 SA FDS4435BZ. IRF7416PBF |
FDS4435也可以通过以下分类找到
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